RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1, страницы 94–99 (Mi phts7490)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Эффективность вертикального вывода излучения из волновода полупроводниковых лазеров с дифракционной решеткой

А. А. Афоненкоa, В. Я. Алешкинbc, А. А. Дубиновbc

a Белорусский государственный университет, 220035 Минск, Белоруссия
b Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Разработана модель для расчета пространственного распределения и времени затухания электромагнитных мод в лазерных структурах с диэлектрической или металлической дифракционной решеткой, расположенной параллельно активному слою. Выполнен самосогласованный расчет эффективности вертикального вывода излучения с учетом обратного рассеяния и взаимодействия рассеянных волн с модами подложки. Обсуждена возможность селекции продольных мод за счет частотной зависимости времени затухания без использования распределенной обратной связи.

Поступила в редакцию: 01.06.2013
Принята в печать: 16.06.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:1, 89–94

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026