Диэлектрическая проницаемость одноосно деформированного полупроводника с вырожденными зонами

Е. В. Баханова, Ф. Т. Васько


Аннотация: Исследованы особенности диэлектрической проницаемости полупроводников с вырожденной зонной структурой (материалы $p$-типа, бесщелевые полупроводники), возникающие при одноосной деформации, когда снимается вырождение зон. Рассмотрен случай сжатия изотропной модели полупроводника, для которого вычислены спектральные зависимости продольного и поперечного коэффициентов поглощения и диэлектрической проницаемости. Оценки показывают возможность экспериментального наблюдения этих особенностей [пика поглощения на дырках, края фундаментального поглощения деформированного бесщелевого полупроводника и соответствующих спектральных зависимостей Re $\varepsilon_{\parallel,\perp}(\omega)$] в далеком ИК диапазоне.