Эта публикация цитируется в 2 статьях

Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Эффективность токовой инжекции в полупроводниковых лазерах с волноводом из квантовых ям

А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков

Белорусский государственный университет, 220030 Минск, Беларусь

Аннотация: Развита динамическая распределенная диффузионно-дрейфовая модель лазерных гетероструктур, учитывающая процессы захвата носителей в квантовые ямы. Проведены расчеты токов утечки в режиме генерации в различных лазерных структурах InGaAs/GaAs (длина волны излучения $\lambda$ = 0.98 мкм), InGaAsP/InP ($\lambda$ = 1.3 мкм) и InGaAs/InP ($\lambda$ = 1.55 мкм) без широкозонных эмиттеров. Показано, что учет конечного времени захвата носителей заряда принципиально важен для расчета структур с глубокими квантовыми ямами. Отношение токов утечки к полному току в структурах с глубокими квантовыми ямами (InGaAsP/InP, InGaAs/InP) возрастает с ростом тока инжекции и при многократном превышении порога лазерной генерации может составлять несколько процентов.

Поступила в редакцию: 01.06.2013
Принята в печать: 16.06.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:1, 83–88

Реферативные базы данных:

•