Д. В. Лаврухин, А. Э. Ячменев, Р. Р. Галиев, Р. А. Хабибуллин, Д. С. Пономарев, Ю. В. Федоров, П. П. Мальцев, “MHEMT с предельной частотой усиления по мощности $f_{\mathrm{max}}$ = 0.63 ТГц на основе наногетероструктуры In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Ga$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1,страницы 73

Эта публикация цитируется в 18 статьях

Физика полупроводниковых приборов

MHEMT с предельной частотой усиления по мощности $f_{\mathrm{max}}$ = 0.63 ТГц на основе наногетероструктуры In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Ga$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/GaAs

Д. В. Лаврухин, А. Э. Ячменев, Р. Р. Галиев, Р. А. Хабибуллин, Д. С. Пономарев, Ю. В. Федоров, П. П. Мальцев

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, 117105 Москва, Россия

Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии была выращена наногетероструктура In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Ga$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/GaAs cо ступенчатым метаморфным буфером на подложке GaAs. Среднеквадратичное значение шероховатости поверхности составило 3.1 нм. На данной наногетероструктуре был изготовлен MHEMT транзистор c зигзагообразным затвором длиной 46 нм, для которого предельные частоты усиления по току и по мощности составили $f_T$ = 0.13 TГц и $f_{\mathrm{max}}$ = 0.63 TГц соответственно.

Поступила в редакцию: 10.04.2013
Принята в печать: 16.04.2013