Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарёв, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, П. П. Мальцев, “Влияние разориентации подложки (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности метаморфных НЕМТ наногетероструктур In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As”, Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1,страницы 67

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Влияние разориентации подложки (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности метаморфных НЕМТ наногетероструктур In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As

Г. Б. Галиев^a, С. С. Пушкарёв^ab, И. С. Васильевский^b, Е. А. Климов^a, А. Н. Клочков^a, П. П. Мальцев^a

^a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, 117105 Москва, Россия
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования влияния разориентации подложек (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности наногетероструктур In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/GaAs с высокой подвижностью электронов. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены две одинаковые структуры со ступенчатым профилем состава метаморфного буфера In$_x$Al$_{1-x}$As ($\Delta x$ = 0.05) на двух типах подложек: на сингулярной подложке GaAs с ориентацией (100) $\pm$ 0.5$^\circ$ и разориентированной на 2 $\pm$ 0.5$^\circ$ в направлении $[0\overline{11}]$ подложке (100) GaAs. Обнаружено увеличение концентрации двумерного электронного газа на $\sim$ 40% в случае использования разориентированной подложки. Выявленное уширение спектров фотолюминесценции и сдвиг пиков в сторону меньших энергий фотонов для случая разориентированной подложки связывается с увеличением шероховатости гетерограниц и флуктуаций ширины квантовой ямы.