RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1, страницы 61–66 (Mi phts7484)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Оптимизация технологии нанесения тонких пленок ITO, применяемых в качестве прозрачных проводящих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов

И. П. Смирноваab, Л. К. Марковab, А. С. Павлюченкоab, М. В. Кукушкинbc, С. И. Павловa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c ЗАО "Инновационная фирма "ТЕТИС"", 194156 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы структурные, оптические и электрические свойства пленок оксида индия и олова (ITO), полученных электронно-лучевым испарением, магнетронным напылением и комбинированным способом. Показано, что, несмотря на высокую прозрачность электронно-лучевых пленок ITO в видимом диапазоне, их проводимость и показатель преломления заметно ниже аналогичных параметров для пленок ITO, полученных методом магнетронного напыления. Разработана технология создания двухслойных систем способом, комбинирующим эти два метода нанесения. В результате получены пленки, которые обладают преимуществами магнетронных слоев и могут быть применены в качестве контактных слоев к области $p$-GaN в светодиодах синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов.

Поступила в редакцию: 28.05.2013
Принята в печать: 04.06.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:1, 58–62

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026