В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, С. О. Усов, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, Н. А. Черкашин, А. Ф. Цацульников, “О зависимости эффективности A$^{\mathrm{III}}$N светодиодов синего диапазона от структурного совершенства буферных эпитаксиальных слоев GaN”, Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1,страницы 55

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Физика полупроводниковых приборов

О зависимости эффективности A$^{\mathrm{III}}$N светодиодов синего диапазона от структурного совершенства буферных эпитаксиальных слоев GaN

В. В. Лундин^a, А. Е. Николаев^ab, А. В. Сахаров^ab, С. О. Усов^a, Е. Е. Заварин^ab, П. Н. Брунков^b, М. А. Яговкина^b, Н. А. Черкашин^c, А. Ф. Цацульников^ab

^a Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS), 31055 Toulouse, France

Аннотация: Исследованы A$^{\mathrm{III}}$N светодиодные структуры синего диапазона с активными областями на основе InGaN-наноостровков. Структуры были выращены методом МОС-гидридной эпитаксии на слоях GaN, выращенных с использованием различных методов начального формирования эпитаксиального слоя. Показано, что благодаря высокой локализации носителей в узкозонных InGaN-наноостровках эффективность электролюминесценции не зависит от плотности дислокаций и кристаллического совершенства материала.

Поступила в редакцию: 23.05.2013
Принята в печать: 04.06.2013