Эта публикация цитируется в 12 статьях

Углеродные системы

Энергетические щели в плотности состояний буферного слоя графена на карбиде кремния: учет неоднородности связей слой–подложка

С. Ю. Давыдов<sup>ab

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: В диагональном приближении получены функция Грина и плотность состояний эпитаксиального графена, образованного на поверхности полупроводника. Подробно рассматривается буферный слой графена на карбиде кремния. Предполагается, что в буферном слое имеются два вида состояний, слабо и сильно связанные с субстратом. Показано, что если в плотности состояний буферного слоя имеет место энергетическая щель, то ее существование и ширина определяются состояниями слабой связи графен-подложка.

Поступила в редакцию: 15.04.2013
Принята в печать: 15.05.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 48:1, 46–52

Реферативные базы данных:

•