Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Транспортные параметры и оптические свойства селективно-легированных гетеровалентных структур Ga(Al)As/Zn(Mn)Se с двумерным дырочным каналом

Е. А. Европейцев, Г. В. Климко, Т. А. Комиссарова, И. В. Седова, С. В. Сорокин, С. В. Гронин, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, С. В. Иванов, А. А. Торопов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Сообщается о получении методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$/А$^{\mathrm{II}}$В$^{\mathrm{VI}}$ : Mn с высокой концентрацией дырок в двумерном канале AlGaAs:Be/GaAs/AlGaAs, расположенном в непосредственной близости от гетеровалентного интерфейса AlGaAs/Zn(Mn)Se. Несмотря на снижение концентрации дырок в GaAs-канале при уменьшении расстояния между каналом и гетеровалентным интерфейсом, концентрация дырок достигает 1.5 $\cdot$ 10$^{13}$ см$^{-2}$ при температуре 300 K даже при минимальном расстоянии 1.2 нм. С помощью глубинного профилирования методом динамической масс-спектроскопии вторичных ионов подтверждена обратная диффузия Mn из ZnMnSe в А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ часть. Сочетание высокой концентрации дырок и наличия магнитных ионов марганца в GaAs-канале проводимости определяет интерес к разработанным структурам как возможным объектам исследования эффектов магнитного упорядочения в гетерогенных полупроводниковых системах.

Поступила в редакцию: 28.05.2013
Принята в печать: 04.06.2013

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:1, 30–33

Реферативные базы данных:

•