Эта публикация цитируется в 3 статьях

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/(A$^{\mathrm{III}}$, Mn)B$^{\mathrm{V}}$ на основе структур с туннельным барьером

Е. И. Малышева^ab, М. В. Дорохин^ab, М. В. Ведь^a, А. В. Кудрин^ab, А. В. Здоровейщев<sup>ab

a</sup> Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Проведено сравнительное исследование циркулярно-поляризованной электролюминесценции в диодах Зеннера на основе гетероструктур InGaAs/$n$-GaAs/$n^+$-GaAs/GaMnAs и InGaAs/$n$-GaAs/$n^+$-GaAs/GaMnSb. Установлено, что циркулярная поляризация связана со спиновой инжекцией электронов из слоя ферромагнитного полупроводника, а параметры излучения определяются свойствами этого слоя. Показано, что ферромагнитные свойства слоя GaMnSb позволяют получить циркулярно-поляризованное излучение при комнатной температуре.

Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:11, 1448–1452

Реферативные базы данных:

•