В. Б. Шмагин, К. Е. Кудрявцев, А. В. Новиков, Д. В. Шенгуров, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, “Применение техники годографа к диагностике диодных структур”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 11,страницы 1492

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Применение техники годографа к диагностике диодных структур

В. Б. Шмагин^ab, К. Е. Кудрявцев^ab, А. В. Новиков^ab, Д. В. Шенгуров^ab, Д. В. Юрасов^ab, З. Ф. Красильник^ab

^a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Приведены примеры использования техники годографа при диагностике кремниевых диодных структур. Использование техники годографа позволяет минимизировать погрешности определения емкости $p$–$n$-перехода, обусловленные наличием маскирующих элементов, искажающих результаты прямого измерения емкости диодной структуры в параллельной и последовательной схемах замещения.

Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015