А. Ю. Егоров, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. В. Бабичев, Т. Н. Березовская, В. Н. Неведомский, “Метаморфные брэгговские отражатели спектрального диапазона 1440–1600 нм: эпитаксия, формирование и заращивание мезаструктур”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10,страницы 1434

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Метаморфные брэгговские отражатели спектрального диапазона 1440–1600 нм: эпитаксия, формирование и заращивание мезаструктур

А. Ю. Егоров^abc, Л. Я. Карачинский^abc, И. И. Новиков^abc, А. В. Бабичев^abcd, Т. Н. Березовская^d, В. Н. Неведомский^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
^c ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
^d Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Показана возможность создания метаморфных распределенных брэгговских отражателей In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/In$_{0.3}$Al$_{0.7}$As с полосой отражения 1440–1600 нм и с коэффициентом отражения не менее 0.999 на подложке GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Продемонстрированы возможность заращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии мезаструктур, изготовленных из метаморфных распределенных брэгговских отражателей на подложке GaAs, а также возможность локального формирования микрорезонаторов за два эпитаксиальных процесса. Полученные результаты найдут широкое применение при формировании вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ) с захороненным туннельным переходом.

Поступила в редакцию: 16.04.2015
Принята в печать: 27.04.2015