Эта публикация цитируется в 9 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки

В. Г. Шенгуров^a, В. Ю. Чалков^a, С. А. Денисов^a, Н. А. Алябина^a, Д. В. Гусейнов^a, В. Н. Трушин^ab, А. П. Горшков^bc, Н. С. Волкова^c, М. М. Иванова^d, А. В. Круглов^b, Д. О. Филатов<sup>b

a</sup> Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Научно-образовательный центр "Физика твердотельных структур" Нижегородского государственного университета, 603950 Нижний Новгород, Россия
^c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
^d Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Сообщается о создании фотодетекторов коммуникационного диапазона длин волн $\lambda$ = 1.3–1.55 мкм на базе гетероструктур Ge/Si(001) с толстыми ($\sim$ 0.5 мкм) слоями Ge, выращенными методом горячей проволоки при пониженных (350$^\circ$C) температурах роста. Полученные монокристаллические слои Ge отличались низкой плотностью прорастающих дислокаций ($\sim$ 10$^5$ см$^{-2}$). Фотодетекторы продемонстрировали достаточно высокую квантовую эффективность ($\sim$ 0.05 при $\lambda$ = 1.5 мкм, 300 K) при умеренных значениях плотности обратного тока насыщения ($\sim$ 10$^{-2}$ А/см$^2$). Таким образом, было показано, что метод горячей проволоки является перспективным для формирования интегрированных фотодетекторов коммуникационного диапазона длин волн, в особенности, в условиях ограничений на условия термообработок.

Поступила в редакцию: 17.03.2015
Принята в печать: 26.03.2015

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:10, 1365–1368

Реферативные базы данных:

•