Эта публикация цитируется в 18 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Наноструктурированные материалы на основе оксида цинка для гетероструктурных солнечных элементов

А. А. Бобков^a, А. И. Максимов^a, В. А. Мошников^abc, П. А. Сомов^a, Е. И. Теруков<sup>ad

a</sup> Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^c Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого, 173003 Великий Новгород, Россия
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты по получению наноструктурированных слоев оксида цинка. Базовым методом являлся метод гидротермального синтеза. Показана возможность управления структурой и морфологией получаемых слоев. Отмечена значительная роль операции формирования зародышевого слоя. Полученные ограненные гексагональные нанопризмы перспективны для получения солнечных элементов на оксидных гетероструктурах, а легированные алюминием слои оксида цинка с лепестковой морфологией для антиотражательного слоя. Разработки совместимы и перспективны в области гибкой электроники.

Поступила в редакцию: 17.03.2015
Принята в печать: 26.03.2015

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:10, 1357–1360

Реферативные базы данных:

•