Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Поляронная масса носителей в полупроводниковых квантовых ямах

А. Ю. Маслов, О. В. Прошина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Построена теория взаимодействия носителей заряда с оптическими фононами в квантовой яме с учетом возникновения интерфейсных оптических фононов. Выполнен детальный анализ зависимости эффективной массы полярона от размеров квантовой ямы и диэлектрических характеристик барьеров. Показано, что в узких квантовых ямах возможно возникновение квазидвумерного полярона. Однако параметры взаимодействия при этом определяются эффективной массой носителей в квантовой яме и частотами интерфейсных оптических фононов. Если барьеры изготовлены из неполярного материала, то эффективная масса полярона зависит от ширины квантовой ямы. При увеличении ширины квантовой ямы возникает новый механизм усиления электрон-фононного взаимодействия. Он реализуется в случае совпадения энергии оптического фонона с энергией одного из электронных переходов. Это приводит к немонотонной зависимости эффективной массы полярона от ширины квантовой ямы.

Поступила в редакцию: 02.02.2015
Принята в печать: 17.03.2015

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:10, 1344–1347

Реферативные базы данных:

•