Эта публикация цитируется в 11 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Плотность поверхностных состояний в коллоидных нанопластинах CdSe

А. В. Кацаба^a, В. В. Федянин^ab, С. А. Амброзевич^a, А. Г. Витухновский^acd, М. С. Соколикова^e, Р. Б. Васильев<sup>e

a</sup> Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
^b Московский педагогический государственный университет
^c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
^d Московский физико-технический институт (государственный университет), 141700 Долгопрудный, Московская обл., Россия
^e Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия

Аннотация: В коллоидных нанокристаллах CdSe планарной геометрии (нанопластинах) экспериментально обнаружен новый тип ловушек, связанных с поверхностью нанокристаллов, опустошение которых происходит через собственные возбужденные состояния каскадным образом. Их характеризацию проводили оригинальной термолюминесцентной методикой из-за невозможности выявить этот тип ловушек с использованием стандартной схемы термостимулированной люминесценции. Построена энергетическая диаграмма уровней нанопластин с учетом специфики обнаруженных ловушек и определена плотность поверхностных состояний; обнаружены максимумы плостности состояний в области 100 и 280 мэВ.

Поступила в редакцию: 18.02.2014
Принята в печать: 11.03.2015

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:10, 1323–1326

Реферативные базы данных:

•