Эта публикация цитируется в 9 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе

О. В. Наумова, Э. Г. Зайцева, Б. И. Фомин, М. А. Ильницкий, В. П. Попов

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Исследована подвижность электронов в режиме обогащения $\mu_{\mathrm{eff}}$ в необедняемых и полностью обедняемых двухзатворных $n^+$–$n$–$n^+$-транзисторах со слоями кремний-на-изоляторе (КНИ). Предложена замена полевой зависимости подвижности $\mu_{\mathrm{eff}}$ зависимостью от плотности индуцированных носителей заряда $N_e$ для определения диапазона возможных значений подвижности и доминирующих механизмов рассеяния в тонкопленочных структурах. Показано, что зависимости $\mu_{\mathrm{eff}}(N_e)$ могут быть аппроксимированы степенными функциями $\mu_{\mathrm{eff}}(N_e)\propto N_e^{-n}$, где показатель $n$, как и в полевой зависимости подвижности, определяется механизмом рассеяния носителей заряда. Определены значения показателя $n$ для зависимостей $\mu_{\mathrm{eff}}(N_e)$ при изменении режима пленки КНИ со стороны одной из ее поверхностей от инверсии до обогащения. Дано объяснение полученных результатов с точки зрения перераспределения плотности электронов по толщине пленки КНИ и изменения механизмов рассеяния.

Поступила в редакцию: 19.02.2015
Принята в печать: 25.02.2015

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:10, 1316–1322

Реферативные базы данных:

•