Эта публикация цитируется в 1 статье

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике $\varepsilon$-GaSe

В. Н. Брудный^a, С. Ю. Саркисов^a, А. В. Кособуцкий<sup>ab

a</sup> Национальный исследовательский Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
^b Кемеровский государственный университет, 650043 Кемерово, Россия

Аннотация: Высота барьера Шоттки (Au, Pd, Pt, Cu, Ag, Sn, In, Al, Mg, Ca, Li, Cs)/GaSe(0001) как функция работы выхода металла, а также разрывы энергетических зон гетеропар InSe(0001)/GaSe(0001) и GaSe(0001)/Si(111) проанализированы в рамках концепции уровня зарядовой нейтральности, CNL(GaSe) = $E_{vb}$ + 0.83 эВ, с учетом частичного экранирования интерфейсного электростатического диполя индуцированными металлом (полупроводником) состояниями туннельного типа на поверхности GaSe(0001).

Поступила в редакцию: 03.03.2015
Принята в печать: 09.03.2015

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:10, 1307–1310

Реферативные базы данных:

•