Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Анизотропный смешанный механизм рассеяния дырок в кристаллах Sb$_2$Te$_{3-x}$Se$_x$ (0 $\le x\le$ 0.1) по данным эффектов Нернста–Эттингсгаузена и Зеебека

С. А. Немов^ab, Н. М. Благих^c, А. Аллаххах^a, Л. Д. Иванова<sup>d

a</sup> Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^b Забайкальский государственный университет, 672039 Чита, Россия
^c Научно-производственное объединение "Поиск", 195197 Санкт-Петербург, Россия
^d Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Исследованы температурные зависимости трех независимых коэффициентов тензора Нернста–Эттингсгаузена $Q_{ikl}$ вместе с коэффициентами электропроводности, термоэдс и Холла слоистых монокристаллов $p$-Sb$_2$Te$_{3-x}$Se$_x$ (0 $\le x\le$ 0.1). Установлено, что все $Q_{ikl}<$ 0 в исследованных кристаллах твердых растворов в диапазоне температур 77–400 K. Данные по эффекту Нернста–Эттингсгаузена и наблюдаемая анизотропия коэффициента Зеебека свидетельствуют об анизотропном смешанном механизме рассеяния дырок на акустических фононах и на примесях и дефектах с преобладающим вкладом рассеяния на колебаниях решетки как в плоскости скола кристаллов, так и в направлении тригональной оси. Оценки параметров рассеяния из четырех кинетических коэффициентов показали, что с ростом температуры они уменьшаются в связи с усилением фононного рассеяния. При более высоких температурах ($T\gtrsim$ 200 K) они становятся отрицательными, что, по-видимому, связано с межзонным рассеянием дырок в дополнительный экстремум валентной зоны.

Поступила в редакцию: 09.04.2015
Принята в печать: 20.04.2015

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:10, 1302–1306

Реферативные базы данных:

•