А. И. Вейнгер, А. Г. Забродский, Т. Л. Макарова, Т. В. Тиснек, С. И. Голощапов, П. В. Семенихин, “Обнаружение примесной диамагнитной восприимчивости и ее поведение в $n$-Ge : As вблизи фазового перехода изолятор–металл”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10,страницы 1339

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Электронные свойства полупроводников

Обнаружение примесной диамагнитной восприимчивости и ее поведение в $n$-Ge : As вблизи фазового перехода изолятор–металл

А. И. Вейнгер^a, А. Г. Забродский^a, Т. Л. Макарова^ab, Т. В. Тиснек^a, С. И. Голощапов^a, П. В. Семенихин^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Lappeenranta University of Technology, FI-53851 Lappeenranta, Finland

Аннотация: Методом СКВИД-магнитометрии измерена и исследована низкотемпературная (температуры $T\le$ 100 K) восприимчивость серии образцов сильно легированного Ge : As на изоляторной стороне фазового перехода изолятор-металл. Вычитанием из нее известных значений магнитной восприимчивости решетки получены значения для примесной магнитной восприимчивости системы. С помощью метода электронного парамагнитного резонанса определена парамагнитная составляющая примесной восприимчивости. Вычитанием из полной примесной восприимчивости ее парамагнитной составляющей впервые получены значения примесной диамагнитной восприимчивости, которые оказались $\sim$ 5 $\cdot$ 10$^{-8}$ см$^3$/г. Полученный результат соответствует оценкам, сделанным для радиуса локализации электрона на доноре As. Понижение температуры в область очень низких значений ($T\le$ 4 K) приводит к возрастанию диамагнитной восприимчивости, практически соответствующему наблюдаемому росту парамагнитной восприимчивости. Наблюдаемый эффект объяснен переходом примесных электронов из синглетного в триплетное состояние.

Поступила в редакцию: 02.04.2015
Принята в печать: 09.04.2015