Электронные свойства полупроводников

Влияние ионизационных потерь энергии высокоэнергетичных ионов висмута на развитие гелиевых блистеров в кремнии

В. Ф. Реутов^a, С. Н. Дмитриев^a, А. С. Сохацкий^a, А. Г. Залужный<sup>b

a</sup> Объединенный институт ядерных исследований, Лаборатория ядерных реакций им. Г. Н. Флерова, 141980 Дубна, Россия
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия

Аннотация: Понимание особенностей поведения гелия в твердых телах в условиях воздействия интенсивного ионизирующего излучения представляет определенный интерес при решении многих проблем ядерного, термоядерного и космического материаловедения, а также в микроэлектронике. В работе описывается обнаруженный эффект подавления образования гелиевых блистеров на поверхности ионно-легированного гелием кремния в результате облучения высокоэнергетическими ионами висмута. Сделано предположение о возможном уменьшении концентрации атомов гелия в кремнии за счет их радиационно-индуцированной десорбции из зоны легирования в условиях ионизационного воздействия от высокоэнергетических ионов висмута.

Поступила в редакцию: 17.03.2015
Принята в печать: 26.03.2015

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:10, 1290–1293

Реферативные базы данных:

•