Т. В. Малин, А. М. Гилинский, В. Г. Мансуров, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Е. Б. Якимов, К. С. Журавлев, “Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1), полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10,страницы 1329

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Электронные свойства полупроводников

Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1), полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии

Т. В. Малин^a, А. М. Гилинский^a, В. Г. Мансуров^a, Д. Ю. Протасов^a, А. С. Кожухов^ab, Е. Б. Якимов^c, К. С. Журавлев^a

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
^c Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия

Аннотация: Исследована длина диффузии неосновных носителей заряда при комнатной температуре в слоях $n$-Al$_{0.1}$Ga$_{0.9}$N для ультрафиолетовых фотоприемников, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира (0001). Измерения были выполнены для тонких образцов с использованием спектральной зависимости фототока, регистрируемого встроенным $p$–$n$-переходе, и с помощью методики наведенного электронного тока для пленок до 2 мкм в толщину. Результаты показывают, что длина диффузии дырок в $n$-AlGaN плeнках составляет 120–150 нм, что в 3–4 раза больше, чем в слоях GaN, выращенных в аналогичных ростовых условиях. Данный результат может быть связан с бoльшими латеральными размерами характерных для молекулярно-лучевой эпитаксии гексагональных ростовых колонн в слоях AlGaN. Увеличения длины диффузии дырок в более толстых плeнках не наблюдается.

Поступила в редакцию: 17.03.2015
Принята в печать: 26.03.2015