RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 10, страницы 1314–1319 (Mi phts7400)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные свойства полупроводников

Смена механизма переноса в области перехода от сублинейности к суперлинейности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников

М. А. Ормонт

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Исследован переход частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников от сублинейного к суперлинейному поведению с ростом частоты; такой переход наблюдается для многих неупорядоченных систем. Показано, что стандартный подход к расчету суперлинейности частотной зависимости прыжковой проводимости вида $\operatorname{Re}\sigma(\omega)\sim\frac{\omega}{\ln(\omega_{\mathrm{c,ph}}/\omega)}$ ($\omega_{\mathrm{c,ph}}$ – характерная частота), основанный на использовании одночастичной плотности состояний с кулоновской щелью, вообще говоря, не применим при расчете высокочастотной проводимости. Суперлинейность экспериментально измеренных частотных зависимостей проводимости $\operatorname{Re}{\sigma(\omega)}$ в переходной области частот указывает на независимость оптимальной длины прыжка от частоты и на определяющую роль резонансного механизма проводимости. Резонансный механизм обусловливает и аномально большие измеряемые значения $\operatorname{ctg}(\gamma)=\operatorname{Im}\sigma/\operatorname{Re}\sigma$ ($\gamma$ – угол диэлектрических потерь) в переходной области частот.

Поступила в редакцию: 03.03.2015
Принята в печать: 09.03.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:10, 1270–1275

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026