Эта публикация цитируется в 9 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Структурные свойства пленок ZnO : Al, полученных золь-гель методом

Е. П. Зарецкая^a, В. Ф. Гременок^a, А. В. Семченко^b, В. В. Сидский^b, Р. Л. Юшкенас<sup>c

a</sup> Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, 220072 Минск, Белоруссия
^b Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины, 246699 Гомель, Белоруссия
^c Государственный научно-исследовательский институт "Центр по физическим и технологическим наукам", ЛТ-01108 Вильнюс, Литва

Аннотация: Пленки ZnO : Al получены золь-гель осаждением с применением различного типа реагентов при температурах 350–550$^\circ$C. Методами атомно-силовой микроскопии, рентгеновской дифракции, комбинационного рассеяния света и оптического пропускания исследована зависимость структурных, морфологических и оптических свойств ZnO : Al покрытий от условий осаждения. Определены оптимальные условия получения слоев ZnO : Al с преимущественной ориентацией в направлении [001] и низкой шероховатостью поверхности. Полученные слои имеют коэффициент оптического пропускания до 95% в широком спектральном диапазоне и могут быть использованы в приборах оптоэлектроники.

Поступила в редакцию: 12.01.2015
Принята в печать: 05.02.2015

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:10, 1253–1258

Реферативные базы данных:

•