Эта публикация цитируется в 10 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Определение технологических параметров роста в системе InAs–GaAs для синтеза “многомодальных” квантовых точек InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

Р. А. Салий^a, С. А. Минтаиров^a, П. Н. Брунков^abc, А. М. Надточий^bd, А. С. Паюсов^ab, Н. А. Калюжный<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
^d "Солар Дотс", 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы особенности роста в системе InAs–GaAs при использовании метода газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Определены зависимости содержания In в твердом растворе In$_x$Ga$_{1-x}$As и зависимости скорости роста InAs от мольного потока In в широком диапазоне температур (480 – 700$^\circ$C). Исследованы процессы роста квантовых точек InAs на GaAs с различной разориентацией поверхности. Найдены условия осаждения квантовых точек InAs с малым количеством дефектов и высокой плотностью на “подслое” GaAs, выращенном с высокой скоростью. Разработана эпитаксиальная технология формирования квантовых точек InAs с многомодальным распределением по размеру и расширенным спектром фотолюминесценции, что может быть эффективно использовано при конструировании фотоэлектрических преобразователей с квантовыми точками в активной области.

Поступила в редакцию: 20.01.2015
Принята в печать: 04.02.2015

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:8, 1111–1118

Реферативные базы данных:

•