Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках “напряженный кремний-на-изоляторе” с тонким слоем окисла

Н. А. Байдакова^ab, А. И. Бобров^b, М. Н. Дроздов^ab, А. В. Новиков^ab, Д. А. Павлов^b, М. В. Шалеев^a, П. А. Юнин^ab, Д. В. Юрасов^ab, З. Ф. Красильник<sup>ab

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследована возможность использования подложек на основе структур “напряженный кремний на-изоляторе” с тонким (25 нм) захороненным слоем окисла для роста светоизлучающих SiGe-структур. Показано, что в отличие от подложек “напряженный кремний-на-изоляторе” с толстым (сотни нм) оксидным слоем температурная стабильность подложек с тонким окислом значительно ниже. Отработаны методики химической и термической очистки поверхности таких подложек, позволяющие как сохранить упругие напряжения в тонком слое Si на окисле, так и обеспечить очистку поверхности от загрязняющих примесей. Продемонстрирована возможность роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии на таких подложках светоизлучающих SiGe-структур высокого кристаллического качества.

Поступила в редакцию: 29.12.2014
Принята в печать: 19.01.2015

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:8, 1104–1110

Реферативные базы данных:

•