Эта публикация цитируется в 7 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Создание центров рекомбинации носителей зарядов в сапфировой подложке КНС-структур

П. А. Александров, Н. Е. Белова, К. Д. Демаков, С. Г. Шемардов

Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия

Аннотация: Предложен способ получения высококачественных радиационно стойких КНС-структур при создании слоя наноразмерных пор в сапфире с помощью ионной имплантации гелия, то есть путем создания центров рекомбинации носителей заряда, при этом одновременно улучшается и качество кремниевого слоя. Обсуждается вопрос о термостабильности пор с тем, чтобы на получившемся модифицированном образце КНС можно было создать микросхему. Слой пор, имея большую совокупную поверхность, существенно уменьшает время жизни носителей заряда, генерируемых во время облучения работающей микросхемы, что приводит к уменьшению заряда на границе раздела кремний-сапфир и к повышению радиационной стойкости.

Поступила в редакцию: 29.12.2014
Принята в печать: 19.01.2015

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:8, 1099–1103

Реферативные базы данных:

•