Излучательная рекомбинация одноосно деформированных монокристаллов ZnP$_{2}$ и CdP$_{2}$

В. С. Вавилов, В. С. Коваль, П. А. Романык, Н. В. Стучинская, К. Хакимов, Г. П. Чуйко, М. В. Чукичев


Аннотация: Исследовались спектры катодолюминесценции в условиях одноосного сжатия, приложенного вдоль или перпендикулярно оси четвертого порядка. Наблюдалось значительное различие в абсолютных величинах изменения ширины запрещенной зоны для дифосфидов кадмия и цинка. При деформации вдоль [001] знаки изменения ширины запрещенной зоны различны.
Из анализа экспериментальных результатов сделаны следующие выводы: тетрагональное расщепление потолка валентной зоны различно по знаку у ZnP$_{2}$ и CdP$_{2}$; в первом материале верхней является подзона $\Gamma_{6}$, во втором — пара почти вырожденных подзон потолка валентной зоны ${\Gamma_{7}+\Gamma_{6}}$, причем $\Gamma_{7}$ — верхняя; указанный порядок расположения подзон потолка валентной зоны сохраняется до напряжений ${2\cdot10^{9}\,\text{Н/м}^{2}}$.