Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Пространственно-контролируемый рост одиночных квантовых точек InP

А. С. Власов^a, А. М. Минтаиров^ab, Н. А. Калюжный^a, С. А. Минтаиров^a, Р. А. Салий^a, А. И. Денисюк^c, Р. А. Бабунц<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Notre Dame University, Notre Dame, IN, 46556, US
^c НИУ "ИТМО", 197101 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследован процесс МОС-гидридной эпитаксии квантовых точек InP/GaInP на “дефектах” подложки (GaAs), сформированных сфокусированным пучком ионов Ga$^+$. Показано, что в системе InP/GaInP могут быть получены упорядоченные массивы квантовых точек с плотностью 0.25 мкм$^{-2}$. Показано, что эффективная люминесценция может быть получена при использовании двух слоев квантовых точек, разделенных буфером GaAs/GaInP.

Поступила в редакцию: 18.11.2014
Принята в печать: 27.11.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:8, 1095–1098

Реферативные базы данных:

•