RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 8, страницы 1115–1119 (Mi phts7368)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние бимодальности массива квантовых точек на оптические свойства и пороговые характеристики лазеров на их основе

А. М. Надточийabc, С. А. Минтаировc, Н. А. Калюжныйc, С. С. Рувимовd, Ю. М. Шерняковc, А. С. Паюсовac, М. В. Максимовabc, А. Е. Жуковab

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
b ООО "Солар Дотс", 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
d University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556 USA

Аннотация: Синтезированы гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs на вицинальных подложках GaAs (001). Исследованы спектры фотолюминесценции и пороговые характеристики полосковых лазеров в диапазоне температур 10–400 K, а также структурные свойства квантовых точек с помощью просвечивающей электронной микроскопии. При анализе спектров фотолюминесценции обнаружена бимодальность массива квантовых точек, приводящая к необычному температурному поведению спектров фотолюминесценции и плотности порогового тока. Рассмотрена модель заполнения бимодального массива квантовых точек носителями заряда, описывающая наблюдаемые явления.

Поступила в редакцию: 29.01.2015
Принята в печать: 10.02.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:8, 1090–1094

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026