Аннотация:
Синтезированы гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs на вицинальных подложках GaAs (001). Исследованы спектры фотолюминесценции и пороговые характеристики полосковых лазеров в диапазоне температур 10–400 K, а также структурные свойства квантовых точек с помощью просвечивающей электронной микроскопии. При анализе спектров фотолюминесценции обнаружена бимодальность массива квантовых точек, приводящая к необычному температурному поведению спектров фотолюминесценции и плотности порогового тока. Рассмотрена модель заполнения бимодального массива квантовых точек носителями заряда, описывающая наблюдаемые явления.
Поступила в редакцию: 29.01.2015 Принята в печать: 10.02.2015