RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 8, страницы 1108–1114 (Mi phts7367)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Модель оптической ячейки на основе конкуренции генерации модовых структур различной добротности в мощных полупроводниковых лазерах

А. А. Подоскин, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Предложена модель, описывающая работу полностью оптической ячейки, основанной на конкуренции генерации мод резонатора Фабри–Перо и высокодобротной замкнутой моды в мощных полупроводниковых лазерах. На основе скоростных уравнений рассмотрены условия переключения генерации между модами Фабри–Перо для основного и возбужденного уровней лазерной генерации и замкнутой модой при возрастании внутренних оптических потерь в условиях высоких уровней токовой накачки. Рассмотрены условия работы оптической ячейки в режиме модулятора мощного лазерного излучения (обратимое переключение модовых структур) и в режиме ячейки памяти с бистабильным необратимым переключением генерации между модовыми структурами различной добротности.

Поступила в редакцию: 29.12.2014
Принята в печать: 30.12.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:8, 1083–1089

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026