Эта публикация цитируется в 15 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения для длин волн $\lambda\approx$ 1550 нм на основе GaSb

В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Ф. Ю. Солдатенков, Н. Х. Тимошина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: С использованием диффузии из газовой фазы в подложку $n$-GaSb получены фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения для длины волны $\lambda$ = 1550 нм. Изготовлены и протестированы под Хе-лампой фотоэлементы площадью $S$ = 4, 12.2 и 100 мм$^2$. На лучших образцах с $S$ = 12.2 мм$^2$ при плотности тока 8 A/cм$^2$ достигнута монохроматическая ($\lambda$ = 1550 нм) эффективность $\eta$ = 34.8%. Проведена оценка стабильности характеристик преобразователя непрерывного лазерного излучения и темпа его деградации при рабочей температуре $T\approx$ 120$^\circ$С.

Поступила в редакцию: 03.12.2014
Принята в печать: 15.12.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:8, 1079–1082

Реферативные базы данных:

•