Эта публикация цитируется в 1 статье

Углеродные системы

Вакансии в эпитаксиальном графене

С. Ю. Давыдов<sup>ab

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом когерентного потенциала рассмотрена задача о влиянии конечной концентрации случайно расположенных вакансий на плотность состояний эпитаксиального графена. Для описания плотности состояний подложки используются простые модели (Андерсона, Халдейна–Андерсона, параболическая). Электронный спектр однослойного свободного графена рассматривается в низкоэнергетическом приближении. Обсуждается переход заряда в системе графен-подложка. Показано, что во всех случаях плотность состояний эпитаксиального графена уменьшается пропорционально концентрации вакансий. При этом усредненное значение перехода заряда с графена в подложку увеличивается.

Поступила в редакцию: 12.11.2014
Принята в печать: 23.12.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:8, 1069–1078

Реферативные базы данных:

•