Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Исследование микрокристаллического кремния методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей

М. Д. Шарков, М. Е. Бойко, А. М. Бойко, А. В. Бобыль, С. Г. Конников

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: С помощью методики малоуглового рассеяния рентгеновских лучей исследован набор из двух типов образцов микрокристаллического кремния, произведенного для применения в панелях солнечных элементов. Показано, что в двух отдельных образцах, относящихся к разным типам, высоты зерен кремния составляют около 230 и 23 нм соответственно – вместо технологически запланированных 200 и 20 нм. Показано, что в образце, у которого в целях проведения исследований в просвечивающем режиме была сошлифована стеклянная подложка, сформирован поверхностный слой в виде локально упорядоченной матрицы из зерен аморфного кремния размером около 3 нм.

Поступила в редакцию: 29.12.2014
Принята в печать: 19.01.2015

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:8, 1052–1056

Реферативные базы данных:

•