RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 8, страницы 1071–1077 (Mi phts7361)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Деградация электрофизических характеристик МОП структур с оксидами эрбия, гадолиния, диспрозия под действием электрического поля

М. Б. Шалимова, Н. В. Сачук

Самарский государственный университет, 443011 Самара, Россия

Аннотация: Исследовалась деградация характеристик кремниевых МОП структур с оксидами редкоземельных элементов под влиянием электрических полей (0.1–4) МВ/см в процессе электроформовки. Особенность электроформовки состоит в возможности многократного переключения структур из диэлектрического состояния в низкоомное и обратно. Временные характеристики деградации МОП структур при электроформовке описываются экспоненциальными зависимостями. Вольт-амперные характеристики представляют собой степенной закон в интервале 0.2–3 В, действие электрического поля приводит к изменению распределения энергетической плотности ловушек, ответственных за токи, ограниченные пространственным зарядом. Установлено, что множественные циклы электроформовки приводят к увеличению плотности поверхностных состояний на границе раздела Si-оксид и изменению энергетического положения уровней ловушек, что ведет к изменению их зарядового состояния.

Поступила в редакцию: 26.01.2015
Принята в печать: 05.02.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:8, 1045–1051

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026