Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследование MHEMT гетероструктуры c каналом In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенной методом МЛЭ на подложке GaAs, с помощью построения карт обратного пространства

А. Н. Алешин^a, А. С. Бугаев^a, М. А. Ермакова^b, О. А. Рубан<sup>a

a</sup> Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, 117105 Москва, Россия
^b Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума Федерального агенства по техническому регулированию и метрологии, 119421 Москва, Россия

Аннотация: На основе построения карт обратного пространства были определены кристаллографические характеристики элементов конструкции MHEMT гетероструктуры с каналом In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As. Гетероструктура была выращена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальной поверхности подложки GaAs с углом отклонения от плоскости (001) на 2$^\circ$ и состояла из ступенчатого метаморфного буфера, содержащего 6 слоев, включая инверсную ступень, высокотемпературного буферного слоя постоянного состава и активных HEMT слоев. Содержание InAs в слоях метаморфного буфера варьировалось от 0.1 до 0.48. Карты обратного пространства строились для симметричного отражения (004) и асимметричного отражения (224)+. Было обнаружено, что слои гетероструктуры характеризуются как углом наклона по отношению к плоскости подложки (001), так и углом поворота вокруг оси [001]. По мере увеличения концентрации InAs в слое угол наклона слоя увеличивается. Показано, что высокотемпературный буферный слой постоянного состава имеет наибольшую степень релаксации по сравнению со всеми другими слоями гетероструктуры.

Поступила в редакцию: 12.01.2015
Принята в печать: 05.02.2015

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:8, 1039–1044

Реферативные базы данных:

•