Внутризонная фотопроводимость, обусловленная легкими дырками и разогревом носителей в $p$-Ge при субмиллиметровом лазерном возбуждении

С. Д. Ганичев, С. А. Емельянов, И. Д. Ярошецкий


Аннотация: Исследовано явление внутризонной $\mu$-фотопроводимости в $p$-Ge при различных уровнях возбуждения субмиллиметровым лазерным излучением. В линейном по интенсивности случае обнаружено явление смещения точки концентрационной инверсии знака относительной фотопроводимости в $p$-Ge по сравнению со случаем возбуждения ИК излучением. Установлено, что эффект обусловлен доминирующим вкладом непосредственно фото возбужденных носителей во внутризонную фотопроводимость $p$-Ge в указанном спектральном диапазоне. При высоких уровнях возбуждения обнаружен эффект инверсии знака относительной фотопроводимости в $p$-Ge при ${T=78}$ K от интенсивности излучения. Установлено, что эффект обусловлен уменьшением коэффициента поглощения на прямых переходах в валентной зоне $p$-Ge и в связи с этим сменой доминирующего механизма образования фотопроводимости.