Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Молекулярно-пучковая эпитаксия короткопериодных сверхрешеток ZnSSe/CdSe для применения в многопереходных солнечных элементах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$/A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$

С. В. Сорокин, С. В. Гронин, И. В. Седова, Г. В. Климко, Е. А. Европейцев, М. В. Байдакова, А. А. Ситникова, А. А. Торопов, С. В. Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты по выращиванию методом молекулярно-пучковой эпитаксии короткопериодных переменно-напряженных сверхрешеток (СР) ZnS$_x$Se$_{1-x}$/CdSe с эффективным значением ширины запрещенной зоны в диапазоне $E_g\approx$ 2.5–2.7 эВ, псевдоморфных подложкам GaAs (001). Регистрация осцилляций интенсивности отраженного пучка в дифракции быстрых отраженных электронов использовалась для in situ контроля параметров сверхрешеток. Разработан метод определения параметров сверхрешеток (составы и толщины отдельных слоев сверхрешеток) на основе совместного анализа выращенных структур методами низкотемпературной фотолюминесценции и рентгеновской дифрактометрии. Сверхрешетки ZnS$_x$Se$_{1-x}$/CdSe продемонстрировали параметры, близкие к расчетным значениям, и низкую плотность структурных дефектов при толщине $\sim$ 300 нм, существенно превышающей критическую для объемных слоев A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$, обладающих таким же рассогласованием постоянной решетки.

Поступила в редакцию: 11.12.2014
Принята в печать: 25.12.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:8, 1000–1006

Реферативные базы данных:

•