Эта публикация цитируется в 7 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Оптоэлектронные пары светодиод-фотодиод на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования углекислого газа

Т. В. Безъязычная^a, М. В. Богданович^a, В. В. Кабанов^a, Д. М. Кабанов^a, Е. В. Лебедок^a, В. В. Паращук^a, А. Г. Рябцев^a, Г. И. Рябцев^a, П. В. Шпак^a, М. А. Щемелев^a, И. А. Андреев^b, Е. В. Куницына^b, В. В. Шерстнев^b, Ю. П. Яковлев<sup>b

a</sup> Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 220072 Минск, Беларусь
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведены экспериментальные исследования спектральных характеристик светодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP, излучающих в диапазоне длин волн от 3.5–4.5 мкм. Показано, что температурный сдвиг максимума длины волны излучения светодиода в интервале температур 80–313 K составляет 1.8 нм/K. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны активного слоя InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$ описывается формулой Варшни с характерными параметрами: $E_{g0}$ = 0.326 эВ, $\alpha$ = 2.917 $\cdot$ 10$^{-4}$ эВ/K, $\beta$ = 168.83 K. Результаты проведенных измерений концентраций углекислого газа с использованием исследуемых светодиодов показали возможность достоверного детектирования СО$_2$ в диапазоне концентраций 300–100 000 ppm.

Поступила в редакцию: 18.12.2014
Принята в печать: 13.01.2015

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:7, 980–983

Реферативные базы данных:

•