RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 6, страницы 1005–1010 (Mi phts735)

Нелинейное поглощение субмиллиметрового излучения в германии, обусловленное разогревом носителей заряда светом

Е. В. Берегулин, С. Д. Ганичев, К. Ю. Глух, И. Д. Ярошецкий


Аннотация: Исследовано явление просветления при прямых внутризонных переходах в $p$-Ge, возникающее под действием лазерного излучения субмиллиметрового диапазона. Показано, что наблюдаемая нелинейность коэффициента поглощения обусловлена разогревом дырочного газа в поле световой волны. Установлено, что порог просветления при низкой концентрации (${\sim10^{14}\,\text{см}^{-3}}$) и ${T=78}$ К составляет величину ${\sim10\,\text{кВт/см}^{2}}$ и возрастает с ростом концентрации и температуры. Выполнен расчет зависимости коэффициента поглощения от электронной температуры в $p$-Ge (${T=78}$ K, ${\lambda=90}$ мкм). Результаты расчета находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными.



© МИАН, 2026