Физика полупроводниковых приборов

Влияние ударной ионизации примесей на динамические характеристики $p^+$–$n$–$n^+$-диодов на основе 4H-SiC при низкой температуре (77 K)

П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Измерены низкотемпературные (77 K) переходные характеристики включения $p^+$–$n$–$n^+$-диодов на основе 4H-SiC в импульсном режиме. С помощью простой аналитической модели объяснено влияние примесного пробоя в сильно легированном $p^+$-эмиттере на динамику роста тока после подачи на диод импульсов прямого смещения большой амплитуды.

Поступила в редакцию: 18.11.2014
Принята в печать: 25.11.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:7, 976–979

Реферативные базы данных:

•