Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Расчет оптимальной конфигурации двухслойной пленки ITO для использования в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов

А. С. Павлюченко, Л. К. Марков, И. П. Смирнова, Д. А. Закгейм

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: В работе с использованием модели, основанной на применении метода матриц переноса, рассчитывалось отражение от многослойных покрытий, используемых в составе контактов в AlInGaN-светодиодах. Рассмотрены композиции ITO/SiO$_2$/Ag, в которых пленка ITO состояла из двух слоев с разными значениями показателя преломления. Толщины слоев материала ITO варьировались в заданном диапазоне. Рассчитывались угловые зависимости коэффициента отражения света обеих поляризаций, на основе которых была получена интегральная отражательная способность контакта. Проанализированы зависимости интегральной отражательной способности контакта и коэффициента отражения света при его падении по нормали к плоскости контакта от толщин слоев ITO. В результате предложена оптимизированная конфигурация отражающего контакта к области $p$-GaN светодиодных кристаллов на основе AlInGaN.

Поступила в редакцию: 13.11.2014
Принята в печать: 25.11.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:7, 972–975

Реферативные базы данных:

•