Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Лавинный режим переключения перенапряженных высоковольтных $p^+$–$i$–$n^+$-диодов в проводящее состояние при импульсном освещении

А. С. Кюрегян

Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина, 111250 Москва, Россия

Аннотация: Построена простая аналитическая теория пикосекундного переключения высоковольтных перенапряженных $p^+$–$i$–$n^+$-фотодиодов в проводящее состояние при воздействии импульсного освещения. Получены и подтверждены путем численного моделирования соотношения между параметрами структуры, светового импульса, внешней цепи и основными характеристиками процесса – амплитудой импульса тока активной нагрузки, временем задержки и длительностью процесса коммутации. Показано, что необходимая для эффективной коммутации энергия пикосекундного импульса света может быть уменьшена на 6–7 порядков за счет интенсивного лавинного размножения электронов и дырок. Это открывает возможность использования в качестве управляющего элемента оптопары импульсных полупроводников лазеров.

Поступила в редакцию: 20.11.2014
Принята в печать: 20.11.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:7, 967–971

Реферативные базы данных:

•