В. И. Васильев, Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, В. Г. Данильченко, “Формирование тройных твердых растворов A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на пластинах GaAs и GaSb за счет твердофазных реакций замещения”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 7,страницы 984

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Формирование тройных твердых растворов A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на пластинах GaAs и GaSb за счет твердофазных реакций замещения

В. И. Васильев^ab, Г. С. Гагис^a, В. И. Кучинский^ac, В. Г. Данильченко^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Рассмотрены процессы образования сверхтонких слоев тройных твердых растворов A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ за счет подачи паров элементов пятой группы к полупроводниковым пластинам GaAs и GaSb, в приповерхностных областях которых происходят твердофазные реакции замещения. Данный способ позволяет формировать бездефектные слои GaAs$_{1-x}$P$_x$, GaAs$_x$Sb$_{1-x}$ и GaP$_x$Sb$_{1-x}$ толщинами 10–20 нм и с содержанием внедряемых компонентов $x$ до 0.04.

Поступила в редакцию: 18.12.2014
Принята в печать: 25.12.2014