Эта публикация цитируется в 2 статьях

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Дисперсия показателя преломления халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_5$, легированного самарием

С. У. Атаева, С. И. Мехтиева, А. И. Исаев

Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Исследованием спектра пропускания халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Se$_{95}$Te$_5$, легированного самарием (0.05, 0.1, 0.25, 0.5, 1 at.%), применением метода Cванепоела (Swanepoel) и одноосцилляторной модели определены энергия осциллятора $E_0$, дисперсионная энергия $E_d$, оптическая ширина запрещенной зоны $E_g$, а также линейный $(n)$ и нелинейный $(n_2)$ показатели преломления. Изменения в значениях указанных параметров в результате легирования связаны с модификацией локальной структуры и изменением концентрации состояний дефектов.

Поступила в редакцию: 05.06.2014
Принята в печать: 22.12.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:7, 949–952

Реферативные базы данных:

•