Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оптические и электрофизические свойства кремниевых нанопилларов

Л. С. Голобокова^a, Ю. В. Настаушев^a, Ф. Н. Дульцев^a, Н. В. Крыжановская^b, Э. И. Моисеев^b, А. С. Кожухов^a, А. В. Латышев<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследуются электрические и оптические свойства кремниевых нанопилларов (Si НП). Для создания упорядоченных массивов Si НП используются электронно-лучевая литография и реактивное ионное травление. Формируются Si НП диаметром от 60 до 340 нм и высотой от 218 до 685 нм. Si НП покрывались слоем TiON$_x$ толщиной 8 нм для химической и электрической пассивации поверхности. Сканирующая электронная микроскопия и атомно-силовая микроскопия используются для того, чтобы охарактеризовать полученные структуры. Массивы Si НП при освещении по методу “светлого поля” приобретают различные цвета. Получены спектры отражения от массивов Si НП для диапазона длин волн 500–1150 нм.

Поступила в редакцию: 24.12.2014
Принята в печать: 31.12.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:7, 939–943

Реферативные базы данных:

•