А. Е. Жуков, Л. В. Асрян, Е. С. Семенова, Ф. И. Зубов, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, “Оптимизация асимметричных барьерных слоев в лазерных гетероструктурах InAlGaAs/AlGaAs на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 7,страницы 956

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оптимизация асимметричных барьерных слоев в лазерных гетероструктурах InAlGaAs/AlGaAs на подложках GaAs

А. Е. Жуков^ab, Л. В. Асрян^c, Е. С. Семенова^d, Ф. И. Зубов^ab, Н. В. Крыжановская^a, М. В. Максимов^abe

^a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^c Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia 24061, USA
^d DTU Fotonik, Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, DK-2800, Denmark
^e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Выполнены расчеты разрывов зон на гетерогранице для различных комбинаций гетеропар InAlGaAs/AlGaAs, которые могут быть синтезированы на подложках GaAs в режиме послойного псевдоморфного роста. Найдены закономерности, позволяющие реализовать асимметричный барьерный слой, обеспечивающий почти свободное прохождение дырок и наибольшую возможную высоту барьера для электронов. С учетом критической толщины индийсодержащего четверного твердого раствора определены оптимальные составы обоих соединений (In$_{0.232}$Al$_{0.594}$Ga$_{0.174}$As/Al$_{0.355}$Ga$_{0.645}$As), при которых поток электронов через барьер минимален.

Поступила в редакцию: 29.12.2014
Принята в печать: 30.12.2014