Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Сопротивление 4H-SiC барьеров Шоттки при высоких плотностях прямого тока

П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, О. И. Коньков, А. С. Потапов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Экспериментально определено сопротивление шоттки-контактов на основе 4H-SiC при высоких плотностях прямого тока. Измеренное сопротивление существенно больше сопротивления, которое предсказывается классическими механизмами транспорта электронов через шоттки-контакт. Выдвигается и частично обосновывается предположение о решающем вкладе туннельно-прозрачного промежуточного окисного слоя между металлом и полупроводником в сопротивление барьерного контакта.

Поступила в редакцию: 17.12.2014
Принята в печать: 25.12.2014

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:7, 930–934

Реферативные базы данных:

•