Д. В. Лаврухин, А. Э. Ячменев, А. С. Бугаев, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Р. А. Хабибуллин, Д. С. Пономарев, П. П. Мальцев, “Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с $\delta$-легированными слоями Si”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 7,страницы 932

Эта публикация цитируется в 17 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с $\delta$-легированными слоями Si

Д. В. Лаврухин^ab, А. Э. Ячменев^ab, А. С. Бугаев^ab, Г. Б. Галиев^a, Е. А. Климов^a, Р. А. Хабибуллин^ab, Д. С. Пономарев^ab, П. П. Мальцев^a

^a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, 117105 Москва, Россия
^b Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана, 105005 Москва, Россия

Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии изготовлены структуры на основе “низкотемпературного” GaAs с введенными $\delta$-слоями кремния. После проведения отжига структур при температурах 520 и 580$^\circ$C с помощью спектроскопии фотолюминесценции обнаружены особенности в области энергий фотонов 1.28–1.48 эВ, которые связаны с образованием точечных дефектов и их комплексов. Методом “накачка–зондирование” в геометрии пропускания света определены характерные времена жизни неравновесных носителей тока в изготовленных структурах: $\tau_c\approx$ 1.2–1.5 пс.

Поступила в редакцию: 26.11.2014
Принята в печать: 15.12.2014