Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицин, К. С. Журавлев, “Нитридизация нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 7,страницы 925

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Нитридизация нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака

Д. С. Милахин^a, Т. В. Малин^a, В. Г. Мансуров^a, Ю. Г. Галицин^a, К. С. Журавлев^ab

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Работа посвящена изучению методом дифракции быстрых электронов на отражение процесса нитридизации нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхностей (0001) сапфира в потоке аммиака. Результаты эксперимента показали, что на нереконструированной поверхности (1 $\times$ 1) происходит нитридизация сапфира, приводящая к образованию фазы AlN на поверхности подложки. Однако, если перед процессом нитридизации сапфира проводить высокотемпературный отжиг (1150$^\circ$С), приводящий к перестройке поверхности сапфира с образованием реконструкции $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$, то кристаллическая фаза AlN на поверхности сапфира в процессе экспонирования поверхности в потоке аммиака не образуется.

Поступила в редакцию: 12.11.2014
Принята в печать: 25.11.2014